•CL(IDD): 9 cycles
•Row Cycle Time (tRCmin): 49.5ns (min.)
•Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin): 160ns (min.)
•Row Active Time (tRASmin): 36ns (min.)
•Power: 1.140 W (operating)
•UL Rating: 94 V - 0
•Operating Temperature: 0o C to 85o C
•Storage Temperature: -55o C to +100o C
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u$s60.00
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- JEDEC standard 1.5V ± 0.075V Power Supply
- VDDQ = 1.5V ± 0.075V
- 667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin
- 8 independent internal bank
- Programmable CAS Latency: 5,6,7,8,9,10
- Posted CAS
- Programmable Additive Latency: 0, CL - 2, or CL - 1 clock
- Programmable CAS Write Latency(CWL) = 7(DDR3-1333)
- 8-bit pre-fetch
- Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tCCD = 4
- which does not allow seamless read or write [either on the fly using A12 or MRS]
- Bi-directional Differential Data Strobe
- Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)
- On Die Termination using ODT pin
- Average Refresh Period 7.8us at lower then TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE . 95°C
- Asynchronous Reset
- PCB : Height 1.180” (30.00mm), double sided component
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Sarmiento 1424 :: Cap. Fed.:: ventas@futurocomputacion.com
Copyright Futuro Computacion 2008 /// La marca FUTURO COMPUTACION y el logotipo son marcas registradas FUTURO SRL.
Los precios indicados incluyen el IVA y pueden variar sin previo aviso. Las fotos de los productos son ilustrativas.
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